Έλληνες ερευνητές της ΙΒΜ πέτυχαν νέο ρεκόρ αποθήκευσης στις μνήμες PCM
18
Μαΐου
2016
- 15:00
Τελευταία τροποποίηση στις 18 Μαΐου, 2016 - 15:01
Ένα ακόμα βήμα πιο κοντά στη βελτίωση της επαναστατικής «μνήμης αλλαγής φάσης» (Phase-Change Memory - PCM), έκαναν Έλληνες ερευνητές από το ερευνητικό κέντρο της IBM Research στην Ελβετία. Συγκεκριμένα, οι ερευνητές κατάφεραν να αποθηκεύσουν τρία μπιτ δεδομένων ανά κύτταρο αποθήκευσης (bit per cell), έναντι ενός μπιτ που ήταν έως τώρα το ρεκόρ.
